作为NAND闪存的发明人，东芝研发的3D FLASH使用的是BiCS技术。BiCS FLASH™是垂直堆栈的三维(3D)闪存，相比其前一代的先进技术，即二维(2D)NAND闪存，BiCS FLASH™中的存储器单元间隔比2D NAND闪存更大。这就可以通过增加单次编程序列的数据量来提高编程速度，同时也降低了每个编程数据单元的功耗。另外BiCS FLASH™的宽存储器单元间隔相比于2D NAND闪存而言，降低了单元的耦合性，提高了可靠性。

　　同时近日东芝存储器株式会社宣布，已开发出全球首款采用堆栈式结构的96层BiCSFLASH™闪存的原型样品。未来东芝存储器株式会社将在其512千兆比特(64GB)等大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元(1个存储器存储单元可存放4比特的数据，QLC)技术。

　　TR200 SSD系列具有高于传统硬盘(HDD)的系统响应能力和数据读写能力，为改善笔记本电脑和台式电脑的用户体验提供了一种简单、便捷的方式。TR200系列采用6 Gbit/s SATA标准接口，顺序读写性能([1])分别达到550 MB/s和525 MB/s([2])，随机读写性能([3])分别达到80000 IOPS (每秒平均的随机读取次数)和87000IOPS(每秒平均的随机写入次数)([4])。并且，在保持高速传输的同时，运行功耗大幅降低，从而可以为长时间使用的用户或者无法及时充电的用户延长电池使用时间。

　　此款SSD提供三种容量：240GB、480GB和960GB([5])，全部采用2.5英寸标准规格。并将于今年秋季开始零售和在线零售服务。

　　TR200系列将在中国上海举办的中国国际数码互动娱乐展览会(ChinaJoy)上首次亮相，展出期间为7月27日至30日;并将于8月22日至26日在德国科隆举办的GamesCom展会上展出。

　　TR200系列

　　注* 连续读写性能是通过Iometer 1.1.0测试软件测试的。

　　注** 随机读写性能是通过CrystalDiskMark 5.1.2测试软件测试的。

　　本文提及的所有公司名称、产品名称和服务名称是其各自公司的商标。

　　([1]) 连续读写性能是通过Iometer 1.1.0测试软件测试的。

　　([2])该性能是根据本公司测试标准，基于128KiB单元顺序访问测得的TR200型号产品的顺序读取和顺序写入性能。根据不同的测试环境，读写条件以及负载，其性能存在差异。东芝定义1兆字节(MB)为1,000,000字节，1千位二进字节(KiB)为210字节或1,024字节。

　　([3])随机读写性能是通过CrystalDiskMark 5.1.2测试软件测试的。

　　([4]) 该性能是根据本公司测试标准，基于4KiB单元随机访问测得的TR200型号产品的随机读取和随机写入性能。根据不同的测试环境，读写条件以及负载，其性能存在差异。东芝定义1兆字节(MB)为1,000,000字节，1千位二进字节(KiB)为210字节或1,024字节。